Catalogue en ligne - Composants électroniques. Page 78 sur 1235. Avtronic

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Affichage 21 articles: AP4501GM à APT5010JVR (Page 78 sur 1235)

Transistor AP4501GM

4.03€ TTC

97 En stock

Transistor AP4501GM N&P-MOS DUAL 30V 7A & 5.3A 2W CMS. MOS-N&P-FET. rDS(on)Q1:0.028R & Q2:0.050R (28 & 50mOhm). Constructeur: Advanced Power. Boîtier: CMS SO-8

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET N-P AP4506GEH

17.02€ TTC

14 En stock

Transistor MOSFET N-P 30V 9A. 30V 8A 3.1W. Montage en surface (CMS)

Tarifs dégressifs

Transistor AP4511GD

8.34€ TTC

162 En stock

Transistor AP4511GD N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W. DIP-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Tarifs dégressifs

Transistor AP4511GM

6.33€ TTC

33 En stock

Transistor AP4511GM N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W CMS. CMS SO-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Tarifs dégressifs

Transistor AP4525GEH

11.37€ TTC

40 En stock

Transistor AP4525GEH N&P-MOS-Z DUAL 40V 15A & 12A 10W 4p. CMS. CMS TO-252-4L. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.028R&0.042R (28 & 42mOhm)

Tarifs dégressifs

Transistor AP4525GEM

8.34€ TTC

275 En stock

Transistor AP4525GEM N&P-MOS-Z DUAL 40V 6A & 5A 2W 8p. CMS. CMS SO-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.028R&0.042R (28 & 42mOhm)

Tarifs dégressifs

Transistor AP4800CGM

2.69€ TTC

68 En stock

Transistor CMS MOSFET canal N 30V 10.4A. Référence d'origine constructeur: AP4800CGM-HF-3. Marquage boîtier: 4800CGM. Boîtier: SO-8. Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 10.4A. Puissance: 2.5W. Résistance Rds: 14 milliOhms.

Tarifs dégressifs

Circuit régulateur de tension positive AP78L05SG

0.90€ TTC

582 En stock

Circuit régulateur de tension positive AP78L05SG. Tension de sortie: 5V. Courant de sortie maxi: 0.1A. Tolérance: 4%. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor AP88N30W

30.07€ TTC

29 En stock

Transistor MOSFET canal N 300V 48A/160Ap 312W 0.048R. Constructeur: Advanced Power. Code constructeur: AP88N30W-HF-3. Marquage boîtier: 88N30W. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3P. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 300V. Id(T:25): 48A. Puissance: 312 W. Id(T:100): 48A. Id(imp): 160 Ap. Idss (min): 1

Tarifs dégressifs

Transistor AP9575AGH

2.69€ TTC

24 En stock

Transistor MOSFET canal P CMS 60V 17A/60Ap 36W 0.064R (11A). Constructeur: Advanced Power. Code constructeur: AP9575AGH-HF-3TR. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D-PAK (TO-252). Boîtier: TO252. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal P. Vds(max): 60V. Id(T:25): 17A. Puissance: 36 W. Id(T:100): 11A. Id(imp): 60 Ap. Idss (min): 10

Tarifs dégressifs

Transistor AP9930GM

6.55€ TTC

175 En stock

Transistor AP9930GM 2N&2P-MOS QUAD 30V 5.5A & 4.1A 1.38W CMS. CMS SO-8. MOS-2N&2P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.033R&0.055R (33 & 55mOhm)

Tarifs dégressifs

Transistor AP9962GH

3.08€ TTC

53 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) CMS 40V 32A 27.8W 0.020R.

Tarifs dégressifs

Transistor AP9971GD

11.93€ TTC

9 En stock

Transistor AP9971GD N-MOS DUAL 60V 5A/20Ap 2W 8p. DIP. DIP-8. MOS-N-FET. Constructeur: Advanced Power. Boîtier: 0.050R (50mOhm)

Tarifs dégressifs

Transistor AP9971GH

3.81€ TTC

74 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 60V 25A/800Ap 39W 0.036R (16A)

Tarifs dégressifs

Transistor AP9971GI

11.26€ TTC

1 En stock

Transistor AP9971GI N-MOS 60V 23A/80Ap 31.3W 3p. TO220F. TO-220CFM. MOS-N-FET. Constructeur: Advanced Power. Boîtier: 0.036R (36mOhm)

Tarifs dégressifs

Transistor AP9971GM

11.09€ TTC

12 En stock

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V 5A. Puissance: 2W. Boîtier: SO-8. Rds: 0.050 Ohm.

Tarifs dégressifs

Transistor APM2054ND

3.81€ TTC

437 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de drain maxi: 4A. Puissance: 1.25W. Rds: 0.045 Ohm. Enhancement Mode MOSFET. Boîtier: SOT-89.

Tarifs dégressifs

Transistor APM4546J

14.56€ TTC

5 En stock

Transistor APM4546J N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W. DIP-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: ANPEC. rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Tarifs dégressifs

Transistor APM4546K

11.93€ TTC

4 En stock

Transistor APM4546K N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W CMS. CMS SO-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: ANPEC. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Tarifs dégressifs

Transistor APT5010JFLL

61.26€ TTC

8 En stock

Transistor APT5010JFLL N-MOS 500V 41A/164Ap 378W 0.1R td(on)11nS. Power MOS 7. Faster Switching. Lower Leakage. Constructeur: APT. Boîtier: ISOTOP (SOT-227). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 41 A. Rds (Ohms): 0.1

Tarifs dégressifs

Transistor APT5010JVR

59.47€ TTC

15 En stock

Transistor APT5010JVR N-MOS 500V 44A/176Ap 450W 0.1R td(on)14nS. td(off). Power MOS V. Faster Switching. Lower Leakage. Constructeur: APT. Boîtier: ISOTOP (SOT-227). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 44 A. Rds (Ohms): 0.1

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Transistor AP4501GM

Transistor AP4501GM N&P-MOS DUAL 30V 7A & 5.3A 2W CMS. MOS-N&P-FET. rDS(on)Q1:0.028R & Q2:0.050R (28 & 50mOhm). Constructeur: Advanced Power. Boîtier: *CMS SO-8*

Transistor MOSFET N-P AP4506GEH

Transistor MOSFET N-P 30V 9A. 30V 8A 3.1W. Montage en surface (CMS)

Transistor AP4511GD

Transistor AP4511GD N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W. DIP-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Transistor AP4511GM

Transistor AP4511GM N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W CMS. *CMS SO-8*. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Transistor AP4525GEH

Transistor AP4525GEH N&P-MOS-Z DUAL 40V 15A & 12A 10W 4p. CMS. *CMS TO-252-4L*. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.028R&0.042R (28 & 42mOhm)

Transistor AP4525GEM

Transistor AP4525GEM N&P-MOS-Z DUAL 40V 6A & 5A 2W 8p. CMS. *CMS SO-8*. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.028R&0.042R (28 & 42mOhm)

Transistor AP4800CGM

Transistor CMS MOSFET canal N 30V 10.4A. Référence d'origine constructeur: AP4800CGM-HF-3. Marquage boîtier: 4800CGM. Boîtier: SO-8. Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 10.4A. Puissance: 2.5W. Résistance Rds: 14 milliOhms.

Circuit régulateur de tension positive AP78L05SG

Circuit régulateur de tension positive AP78L05SG. Tension de sortie: 5V. Courant de sortie maxi: 0.1A. Tolérance: 4%. Boîtier: SO8.

Transistor AP88N30W

Transistor AP9575AGH

Transistor AP9930GM

Transistor AP9930GM 2N&2P-MOS QUAD 30V 5.5A & 4.1A 1.38W CMS. *CMS SO-8*. MOS-2N&2P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.033R&0.055R (33 & 55mOhm)

Transistor AP9962GH

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) CMS 40V 32A 27.8W 0.020R.

Transistor AP9971GD

Transistor AP9971GD N-MOS DUAL 60V 5A/20Ap 2W 8p. DIP. DIP-8. MOS-N-FET. Constructeur: Advanced Power. Boîtier: 0.050R (50mOhm)

Transistor AP9971GH

Transistor MOSFET canal N CMS 60V 25A/800Ap 39W 0.036R (16A)

Transistor AP9971GI

Transistor AP9971GI N-MOS 60V 23A/80Ap 31.3W 3p. TO220F. TO-220CFM. MOS-N-FET. Constructeur: Advanced Power. Boîtier: 0.036R (36mOhm)

Transistor AP9971GM

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V 5A. Puissance: 2W. Boîtier: SO-8. Rds: 0.050 Ohm.

Transistor APM2054ND

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de drain maxi: 4A. Puissance: 1.25W. Rds: 0.045 Ohm. Enhancement Mode MOSFET. Boîtier: SOT-89.

Transistor APM4546J

Transistor APM4546J N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W. DIP-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: ANPEC. rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Transistor APM4546K

Transistor APM4546K N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W CMS. *CMS SO-8*. MOS-N&P-FET. Constructeur: ANPEC. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

Transistor APT5010JFLL

Transistor APT5010JFLL N-MOS 500V 41A/164Ap 378W 0.1R td(on)11nS. Power MOS 7. Faster Switching. Lower Leakage. Constructeur: APT. Boîtier: ISOTOP (SOT-227). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 41 A. Rds (Ohms): 0.1

Transistor APT5010JVR

Transistor APT5010JVR N-MOS 500V 44A/176Ap 450W 0.1R td(on)14nS. td(off). Power MOS V. Faster Switching. Lower Leakage. Constructeur: APT. Boîtier: ISOTOP (SOT-227). Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 44 A. Rds (Ohms): 0.1

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Transistor AP4511GM N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W CMS. CMS SO-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)

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Transistor AP4525GEM N&P-MOS-Z DUAL 40V 6A & 5A 2W 8p. CMS. CMS SO-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: Advanced Power. Rds: 0.028R&0.042R (28 & 42mOhm)

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Transistor APM4546K N&P-MOS DUAL 35V 7A & 6.1A 2W CMS. CMS SO-8. MOS-N&P-FET. Constructeur: ANPEC. Rds: 0.025R&0.040R (25 & 40mOhm)